Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии показано существование градиента концентрации адатомов по поверхности между эшелонами ступеней в условиях сублимации, гомоэпитаксиального роста и квазиравновесия на поверхности кремния(111) при температурах выше 900 ºС. Экспериментально подтверждено наличие у адатомов отрицательного (при1 100 ºС) и положительного(при1 300 ºС) эффективного заряда. Установлено, что знак эффективного заряда не зависит от величины пересыщения на поверхности. На основе полученных экспериментальных данных приведена оценка величины эффективного заряда адатома при 1280ºС, составившая от0,07 ± 0,01 до0,17 ± 0,02 от величины заряда электрона.
Existence of adatom gradient concentration on surface between step bunches was shown under sublimation, homoepi taxial growth and near equilibrium conditions on silicon (111) surface at above 900 ºСby means of in situultrahigh vacuum reflection electron microscopy and ex situatomic force microscopy. It is experimentally confirmed that adatom have negative (at 1 100 ºС) and positive (at 1 300 ºС) effective charge. We found out the sign of adatomeffective charge independent on the supersaturation volume on the surface. On the hasement of experimental data we evaluated the effective charge of adatom at 1 280ºС; this quantity is placed between 0,07 ± 0,01 and 0,17 ± 0,02 of electron unit.
