Модификация ультрафиолетовым (УФ) излучением оптических свойств полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямамиGaAs/AlGaAs исследована в диапазоне плотностей УФ энергии0–500 мДж/см2. Показано, что величина сигнала фотолюминесценции квантовых ям падает с ростом плотности энергии УФ излучения; зависимость носит пороговый характер с величиной порога100 мДж/см2, что совпадает с литературными данными для GaAs по лазерной генерации точечных дефектов. В кинетике отражения образца на длине волны пробного излучения, совпадающей с максимумом линии фотолюминесценции, наблюдалось увеличение скорости электронно-дырочной рекомбинации с ростом плотности энергии УФ импульсов. Острая фокусировка лазерного УФ излучения на поверхность образца приводила к образованию факела, в спектре которого наблюдался дублет нейтральных атомов галлия на длинах волн 403 и417 нм.
Optical properties modification of semiconductor heterostructure with quantum wells GaAs/AlGaAs by the ultraviolet (UV) radiation was investigated in the range of energy density of 0 – 500 mJ/cm2. It was shown that photoluminescence signal amplitude decreases with an increase of UV energy density; this dependence revealed threshold nature with the threshold value about 100 mJ/cm2 – in agreement with other results on laser formation of the point defects in GaAs. Reflectivity kinetics of the sample detected at the probe radiation wavelength corresponding to the photoluminescence line center showed an increase of electron-hole recombination rate with growth of UV energy density. Sharp focusing of UV laser radiation led to a plume formation over the sample surface; spectrum of the plume contained neutral gallium atoms doublet at wavelengths of 403 нм and 417 nm.
