DSpace Repository

Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs

Show simple item record

dc.contributor.author Рожин, А. А.
dc.contributor.author Кочубей, С. А.
dc.contributor.author Рубцова, Н. Н.
dc.contributor.author Шамирзаев, Т. С.
dc.contributor.author Ковалёв, А. А.
dc.contributor.author Семягин, Б. Р.
dc.contributor.author Преображенский, В. В.
dc.contributor.author Путято, М. А.
dc.contributor.author Буганов, О. В.
dc.contributor.author Тихомиров, С. А.
dc.date.accessioned 2014-12-12T20:41:49Z
dc.date.available 2014-12-12T20:41:49Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Рожин А. А. [и др.] Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2012. – Т. 7. – Вып. 4. – С. 117-126. – ISSN 1818-7994. ru_RU
dc.identifier.issn 1818-7994
dc.identifier.uri http://lib.nsu.ru:8081/xmlui/handle/nsu/4020
dc.description.abstract Модификация ультрафиолетовым (УФ) излучением оптических свойств полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямамиGaAs/AlGaAs исследована в диапазоне плотностей УФ энергии0–500 мДж/см2. Показано, что величина сигнала фотолюминесценции квантовых ям падает с ростом плотности энергии УФ излучения; зависимость носит пороговый характер с величиной порога100 мДж/см2, что совпадает с литературными данными для GaAs по лазерной генерации точечных дефектов. В кинетике отражения образца на длине волны пробного излучения, совпадающей с максимумом линии фотолюминесценции, наблюдалось увеличение скорости электронно-дырочной рекомбинации с ростом плотности энергии УФ импульсов. Острая фокусировка лазерного УФ излучения на поверхность образца приводила к образованию факела, в спектре которого наблюдался дублет нейтральных атомов галлия на длинах волн 403 и417 нм. ru_RU
dc.description.abstract Optical properties modification of semiconductor heterostructure with quantum wells GaAs/AlGaAs by the ultraviolet (UV) radiation was investigated in the range of energy density of 0 – 500 mJ/cm2. It was shown that photoluminescence signal amplitude decreases with an increase of UV energy density; this dependence revealed threshold nature with the threshold value about 100 mJ/cm2 – in agreement with other results on laser formation of the point defects in GaAs. Reflectivity kinetics of the sample detected at the probe radiation wavelength corresponding to the photoluminescence line center showed an increase of electron-hole recombination rate with growth of UV energy density. Sharp focusing of UV laser radiation led to a plume formation over the sample surface; spectrum of the plume contained neutral gallium atoms doublet at wavelengths of 403 нм and 417 nm. ru_RU
dc.language.iso ru ru_RU
dc.publisher Новосибирский государственный университет ru_RU
dc.subject полупроводниковые гетероструктуры ru_RU
dc.subject квантовые ямы ru_RU
dc.subject точечные дефекты ru_RU
dc.subject скорость электронно-дырочной рекомбинации ru_RU
dc.subject УФ облучение ru_RU
dc.title Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs ru_RU
dc.title.alternative Ultraviolet radiation action onto nanostructures with quantum wells GaAs/AlGaAs ru_RU
dc.type Article ru_RU


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account