Оборудование

Производитель: BRUKER, Германия

Назначение: визуализации рельефа поверхности образцов на нано- и субнанометровом уровне, исследований образцов в жидких средах, а также проведение анализа механических, электрических, пьезоэлектрических измерений и зарядовой литографии.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):
Максимальный размер образца — диаметр до 210 мм высота до 50 мм.
Максимальный размер поля сканирования XY до 90 мкм, с перепадами по высоте на поверхности Z до 10 мкм.
Визуализация микро- и нанорельефа поверхности образца с шумом не более 0.035 нм.
Разрешение вертикальное Z — <0.5 нм.
Разрешение латеральное XY — определяется остротой зонда (достижимо <1 нм).
Проведение анализа механических упругих характеристик с помощью методики картирования модуля Юнга PeakForce QNM (диапазон анализируемых значений от 1 МПа до 60 ГПа).
Внешнее подаваемое напряжение — от -10 В до 10 В. (В режиме KPFM-HV от -220 В до 220 В.)
Диапазон токов в режиме PeakForce TUNA — от -550 нА до 550 нА, минимальный шаг порядка 70 фА.
Наличие режима ёмкостной микроскопии (SCM), магнито-силовой микросокпии (MFM), однопроходной микроскопии поверхностного электрического потенциала (single-pass KPFM), контактного резонанса (Contact Resonance).

Производитель: JEOL Ltd., Япония

Год выпуска: 2008

Назначение: Микроскоп обеспечивает работу в режимах высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ), сканирующей просвечивающей микроскопии (СПМ), темного и светлого поля, включая HAADF-режим, получение дифракционных картин, включая дифракцию в сходящихся пучках, проведение спектрального анализа и картирования с помощью EDS и EELS

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): морфология, структура, химический состав.
Разрешающая способность:

• по точкам – 0,19 нм;
• по решетке – 0,1 нм;
• в режиме картирования – 0,2 нм;
• в режиме HAADF – 0,14 нм.

Производитель: JEOL Ltd., Япония

Назначение: визуализации микро- и нанорельефа поверхности образца, проведение элементного анализа.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• визуализации микро- и нанорельефа поверхности образца с увеличениями в диапазоне от x8 до x300000 крат;
• проведение элементного анализа с помощью безазотного рентгеновского энергодисперсионного спектрометра (диапазон анализируемых элементов от Be до U).

Производитель: Raith GmbH, Германия

Год выпуска: 2013

Назначение: проведение электронно-лучевое экспонирование образцов для электронной литографии и получение электронно-микроскопических изображений поверхности.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): размер области экспонирования диаметром около 50 мм, минимальная ширина линий 20 нм.

Производитель: CEO Omicron Nano Technology GmbH, Германия

Год выпуска: 2007

Назначение: осаждение слоёв на поверхность образцов и получение информации об атомной структуре и морфологии поверхности, а также о поверхностных электронных состояниях.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): рост слоёв германия и кремния при разных температурах. Модификация поверхностей перед ростом посредством оксидирования или осаждения тонких слоёв выбранных веществ.

Производитель: ООО «НТ-МДТ», Россия

Год выпуска: 2008

Назначение: измерение трехмерной топологии и параметров микрорельефа поверхности конденсированных сред с атомарным разрешением.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): позволяет исследовать топографию поверхности образцов с высоким разрешением около 1 нм

Производитель: Horiba Jobin Yvon Ivon, Франция

Год выпуска: 2007

Назначение: для регистрации спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): диапазон от 300 до 900 нм, разрешение до 0.5 см-1 , конфокальный микроскоп. Источник света – аргоновый лазер, 488 и 514.5 нанометров. Имеются также твердотельные лазеры с длинами волн 540, 633 и 660 нм.

Дополнительные опции оборудования : прибор оснащен термо-ячейкой Linkam, что позволяет регистрировать спектры при температуре от 80 до 873 K.

Производитель: Bruker Corporation, Российская Федерация

Год выпуска: 2012

Назначение: измерение спектральных характеристик образцов.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• диапазон волновых чисел — 8-12000 см-1;
• динамический диапазон — 30-50 дБ.

Дополнительные опции оборудования : криогенный Si-болометр; приставка для измерения спектров отражения (угол падения 11-80º).

Производитель: ООО НПФ "СИМЕКС", РФ

Год выпуска: 2009

Назначение: для регистрации спектров ИК-поглощения.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): спектральный диапазон прибора составляет от 600 до 5500 обратных сантиметров. Разрешение составляет в зависимости от скорости и амплитуды сканирования от 0.5 до 4 см-1.

Дополнительные опции оборудования : cпектрометр оснащён микроскопом «МИКРАН» и приставками для исследования отражения и нарушенного полного внутреннего отражения.

Производитель: Австрия, Hecus

Год выпуска: 2007

Назначение: позволяет измерять интенсивность рентгеновского рассеяния от исследуемых твердых и жидких образцов в виде пленок, пластин, покрытий, порошков, растворов, золей и гелей в области от самых малых углов до 8°.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): для измерения дифрактограмм предусмотрено использование координатных (1D и 2D) детекторов. В качестве источника излучения используется рентгеновская трубка с медным анодом (λCuKα = 0.154 нм). Имеется возможность термостабилизации образцов в диапазоне от -30 до 300 оС. 0.01-0.6 Å

Производитель: Швейцария, Thermo Fisher Scientific

Год выпуска: 2009

Назначение: определение фазового состава пробы, количественное определение известных фаз в смеси, кристаллографический анализ, анализ тонких плёнок.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): материал анода рентгеновской трубки: Сu, максимальное напряжение 50кВ, максимальный ток 55мА. Внутренний фон ниже 0,1 имп/сек., линейная скорость до 50000 имп/сек.

Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ

Год выпуска: 2007

Назначение: для регистрации спектров эллипсометрии.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): спектральный диапазон от 300 до 900 нм.

Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ

Год выпуска: 2007

Назначение: для регистрации эллипсометрии.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): длина волны лазера 633 нм. Время записи спектра 100 мс.

Производитель: ЗАО "КАТАКОН", РФ

Год выпуска: 2007

Назначение: для регистрации эллипсометрии при сканировании образца.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): длина волны лазера 633 нм. Латеральное разрешение 10 мкм.

Производитель: ОАО КДП, РФ

Год выпуска: 2009

Назначение: измерение спектральных характеристик образцов

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• диапазон частот: 50 – 1100 ГГц;
• динамический диапазон: 30-70 дБ;
• возможность/точность измерения фазы: есть/0.5º.

Дополнительные опции оборудования: приставка для измерения комплексного коэффициента отражения; 2D-сканер с компактным пиродетектором для измерения профиля интенсивности пучка; широкополосный преобразователь поляризации.

Производитель: Agilent Technologies, США

Год выпуска: 2007

Назначение: измерительная установка на базе прецизионного RLC измерителя E4980A предназначена для измерения частотных емкостных характеристик, токов утечки приборных наноструктур, исследования процессов зарядки-разрядки, обмена зарядом наночастиц.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): Диапазон частот от 20Гц до 2МГц, погрешность измерения составляет 0,05%, напряжение смещения, встроенный источник напряжения до ± 40В. Измеряемые параметры:

• Cs, Cp ± 1.0aF to 999.99EF
• Ls, Lp ± 1.0aH to 999.99EH
• D ± 0.000001 to 9.999999
• R, Rs, Rp, X, Z, Rdc ± 1.000000 aΩ to 999.9999 EΩ Θd ± 0.0001 deg to 180.000 deg a: 1 x 10-18 , E: 1 x 1018

Дополнительные опции оборудования: подключение к зондовой станции «Cascade Microtech» М-150 с микропозиционерами с зондами и триаксиальными кабелями позволяет проводить измерения непосредственно на пластине диаметром до 150 мм. Уровень шума не превышает ±5fА.

Производитель: ULVAC Technologies Inc., Япония

Год выпуска: 2008

Назначение: отжиг образцов.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): программируемый отжиг образцов до температуры 1000 °С.

Производитель: ООО «Реверс», РФ

Год выпуска: 2009

Назначение: для измерения микрорельефа поверхностных микроструктур (в том числе дифракционных) и тонких пленок.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): измерение рельефа в диапазоне 50-4000 нм.

Производитель: ESDI, США

Год выпуска: 2008

Назначение: для контроля точности изготовления поверхностей оптических деталей и оптических систем.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• воспроизводимость, с.к.з. - 0.3 нм;
• калиброванная точность - 6 нм;
• разрешение по глубине - 0.08 нм;
• пространственное разрешение - 640х480.

Производитель: ИПФ РАН, Россия

Год выпуска: 2008

Назначение: микроволновая обработка материалов в лабораторных условиях.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• частота излучения – 24 ГГц;
• мощность — регулируемая до 6 кВт;
• внутренние размеры микроволнового аппликатора: длина – 600 мм, диаметр – 400 мм;
• диапазон номинального давления в аппликаторе — 10-4 – 1.05 атм;
• достижимая температура образца — 2000С и выше (в термоизолирующем контейнере)

Дополнительные опции оборудования: регистрация температуры образца: до 4 термопар, окно для установки ИК пирометров; вакуумные клапаны для откачки аппликатора и напуска газов замещения.

Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия

Год выпуска: 2008

Назначение: микроволновая обработка материалов, характеризующихся малым поглощением СВЧ излучения (tgd ~ 10-4).

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• частота излучения – 2,45 ГГц;
• мощность — регулируемая до 6 кВт;
• внутренние размеры микроволнового аппликатора: длина – 600 мм, диаметр – 400 мм;
• максимальный характерный размер образца — 100 мм;
• достижимая температура образца — 1500С

Дополнительные опции оборудования: регистрация температуры образца: два ИК пирометра на различные поддиапазоны; Вакуумные клапаны для откачки аппликатора и напуска газов замещения

Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия

Год выпуска: 2008

Назначение: модификация поверхности материалов, исследования процессов ионной имплантации и блистеринга.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):

• рабочие вещества – кислород, водород;
• энергия ионов 30 – 150 кэВ;
• ток пучка – до 0,5 – 1,5 мА/см2;
• диаметр мишени – до 2 см.

Производитель: ОАО НИИТМ, Россия

Год выпуска: 2009

Назначение: плазмохимическое высокоаспектное травление полупроводниковых и диэлектрических пленок на основе кремния (Si, SiO2, SiONx, фоторезист) при формировании микро- и наноструктур.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности):Рабочие вещества – О2, Ar, CF4, SF6. Глубина травления до 1-2 мкм; латеральное разрешение 30 нм.

Производитель: ИЯФ СО РАН, Россия

Год выпуска: 2008

Назначение: высокоскоростное нанесение на плоские подложки высококачественных алмазоподобных и нанокомпозитных пленок. Ионно-лучевое травление микроструктур; очистка поверхности.

Основные измеряемые характеристики (диапазон измерения характеристик, показатели точности): покрытий с толщиной 1 – 1000 нм. Материалы пленок – углерод, нихром, Cu, Ni, Al и др.